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Power Mosfet IRF8513 SO-8

Il Power Mosfet IRF8513 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a media corrente, come la commutazione di carichi resistivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,35 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0155 ohm Corrente di collettore (Id): 8 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet IRF9910 SO-8

Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet N-Channel IRL2203NS TO-263

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Il IRL2203NS TO-263 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 116 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.