Tranzystor MOSFET mocy TPC8125 SOIC-8 to tranzystor polowy typu P z przewodnictwem (do aktywacji wymaga napięcia ujemnego). Ten tranzystor MOSFET nadaje się do zastosowań niskonapięciowych, takich jak wzmacnianie sygnałów i przełączanie. Jego główne parametry techniczne to:
Napięcie nasycenia (Vth): -2,5 V
Rezystancja nasycenia (Rds(on): 0,02 oma
Prąd kolektora (Id): 10 A
Napięcie kolektor-emiter (Vce): 30 V
Maksymalna temperatura pracy (Tj): 150°C
Więcej informacji można znaleźć w karcie katalogowej komponentu na oficjalnej stronie internetowej producenta.