NL 
IT 
EN 
ES 
FR 
PL 
DE 
Vermogen Mosfet IRF9910 SO-8
De Vermogen Mosfet IRF9910 SO-8 Het is een N-type geleidende veldeffecttransistor. Deze MOSFET is geschikt voor toepassingen met hoge stromen en hoge vermogens, zoals het schakelen van inductieve belastingen. De belangrijkste specificaties zijn:
Verzadigingsspanning (Vth): 2,55 V
Verzadigingsweerstand (Rds(on): 0,0134 ohm
Collectorstroom (Id): 10 A
Collector-emitterspanning (Vce): 20 V
Maximale bedrijfstemperatuur (Tj): 150°C
Voor meer informatie kunt u het componentgegevensblad op de officiële website van de fabrikant raadplegen.
