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Power Mosfet N-Channel IRL2203NS TO-263

6,70 
Il IRL2203NS TO-263 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 116 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet P60ZB TO-220

3,90 
Il Power Mosfet P60ZB TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Power Mosfet RFP70N06 TO-220

4,30 
Il Power Mosfet RFP70N06 TO-220 È un transistor a effetto di campo a conduzione laterale (LDMOS) con un’area di gate

Power Mosfet STP75NS04Z TO-220

7,80 
Il Power Mosfet STP75NS04Z TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Power Mosfet STP80N6F6 TO-220

4,90 
Il Power Mosfet RFP70N06 TO-220 È un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Power Mosfet STS4NF100 SO-8

Il Power Mosfet STS4NF100 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N e ha una corrente di collettore inferiore di 100A,  questo lo rende più adatto per applicazioni a corrente media. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 100 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet TPC8125 SOIC-8

Il Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo P (richiede una tensione negativa per essere attivato). Questo MOSFET è adatto per applicazioni a bassa tensione, come l'amplificazione e la commutazione di segnali. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): -2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Power Mosfet VNP10N07 TO-220

4,80 
Il Power Mosfet VNP10N07 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Regolatore di tensione 9L05A SOIC-8

4,90 
Il componente 9L05A è un regolatore di tensione a basso dropout (LDO) che fornisce una tensione di uscita fissa di

Regolatore di tensione A8450KLBT SOP-24

6,70 
Il componente A8450KLBT è un regolatore di tensione lineare positivo che fornisce una tensione di uscita regolabile da 1,2 V

Regolatore di tensione BM2569 SOIC-8

4,90 
L’BM2569 è un regolatore di tensione a basso dropout (LDO) con un dropout di soli 100 mV a 100 mA.

Regolatore di tensione ICL7660 SOIC-8

4,90 
Il componente ICL7660 è un regolatore di tensione a commutazione (switching regulator) che fornisce un’uscita di tensione regolata da un’alimentazione