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Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET de potencia IRF9530 TO-220

2,80 €
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar
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MOSFET de potencia IRF9910 SO-8

El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia IRF9Z34N TO-220

4,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF9Z34N es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRL2203N TO-220

4,30 €
El Power Mosfet IRL2203N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N, diseñado para aplicaciones
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Agotado
MUY PRONTO

MOSFET de potencia IRL2505PBF TO-220

4,30 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRL2505PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N, diseñado para aplicaciones
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MOSFET de potencia de canal N IRL2203NS TO-263

6,70 €
El IRL2203NS TO-263 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 116 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia P60ZB TO-220

3,90 €
El Power Mosfet P60ZB TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia RFP70N06 TO-220

4,30 €
El MOSFET de potencia RFP70N06 TO-220 es un transistor de efecto de campo de conducción lateral (LDMOS) con un área de puerta
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MOSFET de potencia STP75NS04Z TO-220

7,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 STP75NS04Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia STP80N6F6 TO-220

4,90 €
El Power Mosfet RFP70N06 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia STS4NF100 SO-8

El Mosfet de potencia STS4NF100 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N y tiene una corriente de colector más baja de 100 A, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de corriente media. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8

El Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo P (requiere un voltaje negativo para activarse). Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificación y conmutación de señales. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): -2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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