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MOSFET de potencia IR2301SPBF SO-8

El IR2301SPBF SO-8 Es un MOSFET de efecto de campo conductor tipo N con controlador integrado. El controlador integrado permite que el MOSFET sea controlado por una señal lógica de bajo voltaje. Esto lo hace especialmente adecuado para aplicaciones donde es necesario controlar un MOSFET mediante un microcontrolador u otro dispositivo lógico. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 4,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,008 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Vds: 60 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia IRF1324PBF TO-220

5,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF1324PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF3205 TO-220

2,95 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3205 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF3710Z TO-220

3,15 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3710Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF530N TO-220

2,30 €
El Power Mosfet IRF530N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF620P TO-220

2,30 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF620P es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF630 TO-220

3,80 €
El Power Mosfet IRF630 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF644 TO-220

4,20 €
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar
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MOSFET de potencia IRF740A TO-220

5,30 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF740A es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF820APBF TO-220

3,50 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF820APBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF8513 SO-8

El Power Mosfet IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios Corriente de colector (Id): 8 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia IRF9520P TO-220

2,80 €
El Power Mosfet IRF9520P TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo P capaz de
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