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Módulo de potencia MOSFET Fiat Scudo

55,00 €
Módulo de potencia MOSFET para bomba de dirección eléctrica instalado en los siguientes vehículos: – Citroen C8, Dispatch, Jumpy; – Fiat Scudo,
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MOSFET BUK9540-100A TO-252

1,90 €
El BUK9540-100A TO-252 es un MOSFET de potencia de alto rendimiento, adecuado para aplicaciones donde se requiere alta corriente y alta eficiencia. Las especificaciones del BUK9540-100A TO-252 son las siguientes: Tipo: MOSFET de canal N Voltaje de saturación: 40 V Corriente de saturación: 100A Resistencia a la fuente de drenaje: 0,006 ohmios Capacidad de entrada: 1,6 pF Capacidad de salida: 30 pF Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ +150 °C Paquete: TO-252 Además, el BUK9540-100A TO-252 tiene las siguientes características: Voltaje de conmutación de puerta-fuente: 10 V Tiempo de ascenso: 25 ns Tiempo de descenso: 25 ns Resistencia de la compuerta: 10 ohmios Capacidad de la puerta: 200 pF  
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MOSFET BUK9E06 TO-262

5,60 €
El BUK9E06 TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2 voltios Resistencia de saturación (Rds(on)):0,06 ohmios Corriente de colector (Id): 75 A Tensión colector-emisor (Vce): 55 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET IR2171S 8SOIC

Función:Sentido actual Voltaje:Entrada 9,5 V ~ 20 V Actual: Salida 1 mA Temperatura de funcionamiento:-40 °C ~ 125 °C Tipo de montaje:Montaje en superficie Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC N
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MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 €
El IRF2804L TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 - 3 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,1 ohmios Corriente de colector (Id): 82 A Tensión colector-emisor (Vce): 75 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET IRF3710STRL TO-252

4,30 €
El IRF3710STRL TO-252 Es un MOSFET de potencia de alto rendimiento, adecuado para aplicaciones donde se requiere alta corriente y alta eficiencia. Las especificaciones del IRF3710STRL TO-252 son las siguientes: Tipo: MOSFET de canal N Tensión umbral: 2,5 V Corriente de drenaje continua: 100A
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MOSFET de potencia 2SK3069 TO-220

8,90 €
El Power Mosfet 2SK3069 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia FDS8858CZ SO-8

2,60 €
El poder FDS8858CZ MOSFET SO-8 Es un MOSFET dual, lo que significa que tiene dos canales, uno N y uno P. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutar dos cargas independientes. Por ejemplo, se puede utilizar para controlar dos motores o dos LED. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 1,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia IR2301SPBF SO-8

El IR2301SPBF SO-8 Es un MOSFET de efecto de campo conductor tipo N con controlador integrado. El controlador integrado permite que el MOSFET sea controlado por una señal lógica de bajo voltaje. Esto lo hace especialmente adecuado para aplicaciones donde es necesario controlar un MOSFET mediante un microcontrolador u otro dispositivo lógico. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 4,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,008 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Vds: 60 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia IRF1324PBF TO-220

5,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF1324PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF3205 TO-220

2,95 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3205 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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MOSFET de potencia IRF3710Z TO-220

3,15 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3710Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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