Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET de potencia IRF630 TO-220

3,80 
El Power Mosfet IRF630 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF644 TO-220

4,20 
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar

MOSFET de potencia IRF740A TO-220

5,30 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF740A es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF820APBF TO-220

3,50 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF820APBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF8513 SO-8

El Power Mosfet IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios Corriente de colector (Id): 8 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia IRF9520P TO-220

2,80 
El Power Mosfet IRF9520P TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo P capaz de

MOSFET de potencia IRF9530 TO-220

2,80 
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar

MOSFET de potencia IRF9910 SO-8

El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia IRF9Z34N TO-220

4,80 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF9Z34N es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRL2203N TO-220

4,30 
El Power Mosfet IRL2203N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N, diseñado para aplicaciones

MOSFET de potencia IRL2505PBF TO-220

4,30 
El MOSFET de potencia TO-220 IRL2505PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N, diseñado para aplicaciones

MOSFET de potencia de canal N IRL2203NS TO-263

6,70 
El IRL2203NS TO-263 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 116 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.