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Il Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo P (richiede una tensione negativa per essere attivato). Questo MOSFET è adatto per applicazioni a bassa tensione, come l'amplificazione e la commutazione di segnali. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): -2,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.