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Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET IRF3710STRL TO-252

4,30 
El IRF3710STRL TO-252 Es un MOSFET de potencia de alto rendimiento, adecuado para aplicaciones donde se requiere alta corriente y alta eficiencia. Las especificaciones del IRF3710STRL TO-252 son las siguientes: Tipo: MOSFET de canal N Tensión umbral: 2,5 V Corriente de drenaje continua: 100A

Motor de freno de estacionamiento Renault Scenic y Koleos

69,00 
Motor de freno de estacionamiento Renault Scenic II, Grand Scenic II, Espace y Koleos. Códigos compatibles: 8200316575, 484340810, 285F21523R, A2C31099000, 32620254,

Anillo de sellado de aceite NBR 8x16x5

8,90 
Sello de aceite NBR con las siguientes dimensiones: Diámetro interno = 8 mm Diámetro externo = 16 mm Espesor = 5 mm Generalmente se utiliza para

Bomba actuadora de embrague Bosch/LUK

69,90 
Bomba de actuador de embrague Bosch / LUK Compatible con actuadores de embrague Ford, Mercedes y Easytronic Opel Durashift. Códigos compatibles: 2NR17M168BEL905D,0132900007,0001, 2N1R7M168BFL905D,

MOSFET de potencia 2SK3069 TO-220

8,90 
El Power Mosfet 2SK3069 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia FDS8858CZ SO-8

2,60 
El poder FDS8858CZ MOSFET SO-8 Es un MOSFET dual, lo que significa que tiene dos canales, uno N y uno P. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutar dos cargas independientes. Por ejemplo, se puede utilizar para controlar dos motores o dos LED. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 1,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia IR2301SPBF SO-8

El IR2301SPBF SO-8 Es un MOSFET de efecto de campo conductor tipo N con controlador integrado. El controlador integrado permite que el MOSFET sea controlado por una señal lógica de bajo voltaje. Esto lo hace especialmente adecuado para aplicaciones donde es necesario controlar un MOSFET mediante un microcontrolador u otro dispositivo lógico. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 4,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,008 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Vds: 60 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia IRF1324PBF TO-220

5,80 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF1324PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF3205 TO-220

2,95 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3205 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF3710Z TO-220

3,15 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3710Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF530N TO-220

2,30 
El Power Mosfet IRF530N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de