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Microcontrolador 990-9377.1D3 para aplicaciones automotrices
El microcontrolador 990-9377.1D3 Está diseñado para su uso en aplicaciones automotrices, incluido infoentretenimiento, sistemas de seguridad y ADAS. Para conocer todas las especificaciones de este microcontrolador, recomendamos consultar la hoja de datos correspondiente disponible en el sitio web del fabricante.
Microcontrolador 990-9379.1D para aplicaciones automotrices
Microcontrolador 990-9404.1D para aplicaciones automotrices
Microcontrolador 990-9407.1D para aplicaciones automotrices
Microcontrolador 990-9409.1E para aplicaciones automotrices
Microcontrolador 990-9413.1B para aplicaciones automotrices
Módulo de potencia MOSFET Fiat Scudo
MOSFET BUK9540-100A TO-252
El BUK9540-100A TO-252 es un MOSFET de potencia de alto rendimiento, adecuado para aplicaciones donde se requiere alta corriente y alta eficiencia. Las especificaciones del BUK9540-100A TO-252 son las siguientes:
Tipo: MOSFET de canal N
Voltaje de saturación: 40 V
Corriente de saturación: 100A
Resistencia a la fuente de drenaje: 0,006 ohmios
Capacidad de entrada: 1,6 pF
Capacidad de salida: 30 pF
Temperatura de funcionamiento: -55 °C ~ +150 °C
Paquete: TO-252 Además, el BUK9540-100A TO-252 tiene las siguientes características:
Voltaje de conmutación de puerta-fuente: 10 V
Tiempo de ascenso: 25 ns
Tiempo de descenso: 25 ns
Resistencia de la compuerta: 10 ohmios
Capacidad de la puerta: 200 pF
MOSFET BUK9E06 TO-262
El BUK9E06 TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2 voltios
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,06 ohmios
Corriente de colector (Id): 75 A
Tensión colector-emisor (Vce): 55 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas.
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET IR2171S 8SOIC
MOSFET IRF2804L TO-262
El IRF2804L TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,5 - 3 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,1 ohmios
Corriente de colector (Id): 82 A
Tensión colector-emisor (Vce): 75 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas.
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
