Mostrando resultados 13–24 de 33

Mostrar barra lateral
Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET de potencia IRF3710Z TO-220

3,15 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3710Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF530N TO-220

2,30 €
El Power Mosfet IRF530N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF620P TO-220

2,30 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF620P es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF630 TO-220

3,80 €
El Power Mosfet IRF630 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF644 TO-220

4,20 €
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF740A TO-220

5,30 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF740A es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF820APBF TO-220

3,50 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF820APBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF8513 SO-8

El Power Mosfet IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios Corriente de colector (Id): 8 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF9520P TO-220

2,80 €
El Power Mosfet IRF9520P TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo P capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF9530 TO-220

2,80 €
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF9910 SO-8

El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF9Z34N TO-220

4,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF9Z34N es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida