Mostrando resultados 1–12 de 33

Mostrar barra lateral
Espectáculo 9 12 18 24

Transistor Darlington BDX33C TO-220

2,30 €
Transistor Darlington BDW94C, paquete PNP, TO-220, corriente de colector: 12 A, corriente de pico de colector: 15 A, voltaje de colector-emisor: 100 V.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

Transistor Darlington BDX54C TO-220

4,30 €
Transistor Darlington BDW94C, paquete PNP, TO-220, corriente de colector: 12 A, corriente de pico de colector: 15 A, voltaje de colector-emisor: 100 V.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

Transistor Darlington BDW93CF TO-220F

4,30 €
Transistor Darlington BDW93CF Paquete TO-220F Corriente de colector 12A Corriente de pico de colector 15A Voltaje de colector-emisor 100V
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

Transistor Darlington BDW94C TO-220

3,90 €
Transistor Darlington BDW94C, paquete PNP, TO-220, corriente de colector: 12 A, corriente de pico de colector: 15 A, voltaje de colector-emisor: 100 V.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

Módulo de potencia MOSFET Fiat Scudo

55,00 €
Módulo de potencia MOSFET para bomba de dirección eléctrica instalado en los siguientes vehículos: – Citroen C8, Dispatch, Jumpy; – Fiat Scudo,
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET BUK9E06 TO-262

5,60 €
El BUK9E06 TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2 voltios Resistencia de saturación (Rds(on)):0,06 ohmios Corriente de colector (Id): 75 A Tensión colector-emisor (Vce): 55 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 €
El IRF2804L TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 - 3 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,1 ohmios Corriente de colector (Id): 82 A Tensión colector-emisor (Vce): 75 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia 2SK3069 TO-220

8,90 €
El Power Mosfet 2SK3069 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia FDS8858CZ SO-8

2,60 €
El poder FDS8858CZ MOSFET SO-8 Es un MOSFET dual, lo que significa que tiene dos canales, uno N y uno P. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutar dos cargas independientes. Por ejemplo, se puede utilizar para controlar dos motores o dos LED. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 1,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IR2301SPBF SO-8

El IR2301SPBF SO-8 Es un MOSFET de efecto de campo conductor tipo N con controlador integrado. El controlador integrado permite que el MOSFET sea controlado por una señal lógica de bajo voltaje. Esto lo hace especialmente adecuado para aplicaciones donde es necesario controlar un MOSFET mediante un microcontrolador u otro dispositivo lógico. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 4,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,008 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Vds: 60 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF1324PBF TO-220

5,80 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF1324PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida

MOSFET de potencia IRF3205 TO-220

2,95 €
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3205 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
Añadir a la lista de deseos
Seleccionar opciones
Vista rápida