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Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET de potencia STS4NF100 SO-8

El Mosfet de potencia STS4NF100 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N y tiene una corriente de colector más baja de 100 A, lo que lo hace más adecuado para aplicaciones de corriente media. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 100 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8

El Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo P (requiere un voltaje negativo para activarse). Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificación y conmutación de señales. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): -2,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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MOSFET de potencia VNP10N07 TO-220

4,80 €
El Power Mosfet VNP10N07 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de
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